功率电源中器件的温升与极限工作温度

清风月

功率电源中器件的温升与极限工作温度




     熟悉电子电路设计的朋友必须知道，整个电源设计中有一些非常严重的加热设备，如整流桥MOS管道、快速恢复二极管等设备。在功率电源中，电感和高频变压器已成为发热现象的重灾区。功率电源在恶劣条件下，它们的合理温升应该是多少，极限温升应该是多少？


     一般来说，电管和变压器的温度控制在120℃半导体结温控制在0左右。.8.具体可参考《GJB/Z35-93元器件降额标准。


     室温35℃下半导体器件热平衡后，最高温度不超过80°；磁**件的最高温度不超过900℃。当然，最高温度的测试方法因人而异，在这种情况下使用FLUKE标价5K二维热成像仪。


事实上，组件温度的要求不能用一般标准来概括。许多人发现低频整流桥在实际操作中工作100℃左右环境没问题。其他功率半导体需要看是金属封装还是塑料封装，150℃在最坏的情况下，最高温度控制在100℃以内都是没有有问题的。而175℃工作温度或金属包装的最高温度控制在120℃在内部，应该是安全的。


     需要特别注意的是，包括一些轴包装的二极管，特别是肖特基二极管TO小特基二极管252包装，最高温度控制在100℃显然是不够的。换句话说，减少范围也应与包装体积挂钩。包装越大，电压、电流和温度的减少范围就越小。


     元器件采购网认为如果你仍然认为温度没有可靠的说法，你可以试着从公式计算的角度进行分析。首先要考虑的是最坏情况下的温度，如最高温度下的满载、整流桥、MOSFET、二极管表面温度不得超过110~115℃，或根据经验公式估计结温：Tj=Tc P*Rthjc（P为MOSFET的功耗，Rthjc为MOSFET结到壳体的热阻)，估计结温比较功率器件规格中最大结温，比较是否满足降额要求。如果电感是由磁环制成的，磁芯和表面不应超过120℃，如果是用EE磁芯线苞温度测量内部温度，内部磁芯和线包苞不得超过140℃，有时带风扇的模块，测量表面线芽有时很酷，事实上，内部温度可能很高，不能满足安全要求，注意线、胶带、挡土墙等材料的温度等级选择。