IGBT材料sin的特性主要有哪些？

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在科技快速发展的今天，应用于IGBT功率模板散热的材料越来越丰富，这其中就包括铝碳化硅（AlSiC）、AMB-SiN 陶瓷基板等等，不同的材料，它的特性差异大。下面就让小编来为大家简单介绍下，IGBT材料sin的特性主要有哪些？有何不同之处？

传统硅基半导体由于自身物理性能不足，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，在此背景下第三代半导体应运而生，第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小体积、低能耗、高功率等明显优势。基于 AMB-SiN 陶瓷基板的高热导率、高载流能力以及低热膨胀系数，AMB-SiN 有望成为 IGBT 和 SiC 功率器件基板应用新趋势。

据小编了解，IGBT材料sin热导率高于90W/mk，厚铜层具有较高热容量以及传热性；同时，采用 AMB 工艺，可将厚铜金属（800μm）焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上，形成高载流能力。而在应用方面，它被广泛应用于各种电子设备中，如电脑、手机、电源适配器、LED灯等。在这些设备中，氮化硅陶瓷散热片能够有效地将设备产生的热量传导出去，保护设备免受过热的影响，从而提高设备的使用寿命和稳定性。也正因此，它成为了电子设备散热的理想选择。

关于IGBT材料sin的特性，小编就先为大家简单的介绍到这里。在行业内，思萃热控是一家散热材料及热管理服务提供商，从事热管理方案设计与新型材料成型加工研究，若用户对上述材料还有其他疑问，或想要了解更多公司信息，可以直接通过思萃热控的官网来进一步咨询获悉。