技术创新是英飞凌持续本土化的基石

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英飞凌能够在中国市场取得巨大的成就，一方面是来自于其坚定不移的本土化战略，另一方面则是依靠其技术的持续领先。

以功率半导体技术为例，英飞凌在硅、碳化硅、氮化镓三大功率半导体材料领域均以突破性创新引领行业发展。

在硅功率半导体方面，英飞凌推出全球最薄硅功率半导体晶圆，其直径300mm（12英寸），厚度仅为20µm。相比于行业普遍采用的40µm厚度，该技术可以实现功耗降低大于15%。并且实现晶圆正面至背面信号通路的便捷可靠布线。


在碳化硅功率半导体方面，英飞凌实现了200mm（8英寸）碳化硅功率半导体晶圆量产。继奥地利菲拉赫之后，马来西亚居林也将扩大8英寸碳化硅晶圆的生产。此外，去年推出的CoolSiC™ MOSFET Generation 2产品在热阻和电阻表现上更具优势，可助力新能源汽车电驱动产品实现更高的性能表现。

在氮化镓功率半导体方面，英飞凌率先推出了全球首款300mm（12英寸）氮化镓功率半导体晶圆，这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300 mm GaN晶圆。