技术革新之路，英飞凌永不止步

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    都说技术可以推动社会进步，但技术本质上是一种手段，其核心价值在于其展示的性能及特性。
    据英飞凌科技高级技术总监、工业与基础设施业务大中华区技术负责人陈立烽介绍，二氧化碳传感器每当人们谈论功率器件时，通常都会关注其基本特性，比如电压等级、导通电阻等。然而，评判一项技术或一款产品是否优秀，仅凭静/动态特性是远远不够的，还需要综合考虑其可靠性、稳定性，以及易用性等因素。
    以碳化硅器件为例，其性能评估涉及多个关键方面，包括栅极氧化层的可靠性、坚固的体二极管、驱动电压的延展性，以及抗短路能力等，这些都是评估碳化硅器件性能不可忽视的一环。所以，对于英飞凌而言，碳化硅技术的不断进步，实际上是在持续优化器件的性能，并不断提升其可靠性。
    全方位剖析：英飞凌如何领跑“低碳转型”绿色赛道？
    （英飞凌科技高级技术总监、工业与基础设施业务大中华区技术负责人陈立烽）
    除了器件技术，封装技术同样至关重要。为了确保晶圆性能得以充分发挥，就必须采用更为先进的封装方法。然而，传统器件无论是单板还是模块，通常采用的都是标准焊接方式，这样很难达到完全平滑的焊接效果。相比之下，采用英飞凌.XT扩散焊技术则能显著改善这一情况。因为该技术可以使芯片与载体之间的结合处变得非常紧密，这样不仅有助于降低热阻，提高散热效率，还能显著提升焊接的可靠性，从而增强器件对于温度热应力的抵抗能力。
    而在工艺技术方面，英飞凌也是处于行业领先水平，其早在多年前就已经发布了冷切割技术。该技术旨在更加充分的利用材料，特别是在工艺器件生产的一道工序减薄环节中，可以大幅减少材料被磨削掉，从而造成不必要的浪费。
    另外值得一提的是，作为今年的标志性新产品，英飞凌新二代CoolSiC™MOSFETG2的问世，更是将其不断寻求技术突破体现得淋漓尽致。据悉，英飞凌开创性的CoolSiC™MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™MOSFETG2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择。与目前的SiCMOSFET技术相比，该产品具有更高的效率和可靠性，可将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高20%。同时，结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的封装控制，以及更出色的性能，进一步提升了基于CoolSiC™MOSFETG2的设计潜力。
    总之，在技术革新的道路上，英飞凌永不止步！未来，英飞凌将持续深耕碳化硅技术，携手行业伙伴一起助力半导体产业绿色低碳转型，为全球可持续发展的战略目标而不懈努力。